单晶衬底 - Single Crystal Substrate
我们提供各种规格尺寸的单晶衬底，包括，GaAs，InP，硅片，锗片等。
GaAs单晶衬底砷化镓(GaAs)是一种性能优良的半导体材料，具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效 率高等特点，广泛应用于光电子和微电子工业。在光电子工业领域应用层面，砷化镓单晶可被用于 制作 LED(发光二极管)、LD(激光器)、光伏器件等;在微电子工业领域应用层面，可被用于制作 MESFET(金属半导体场效应管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)、HBT(异质结双极晶体管)、IC、微 波二极管、Hall 器件等
GaAs单晶衬底规格参数：
| 单位 | LD应用 | LED应用 | RF应用 |
| 导电类型 |
| n型 | p型 | -
|
| 生长方式 |
| VGF
| VGF | VGF |
| 掺杂 |
| Si | Si/Zn | 无/碳 |
| 尺寸 | Inch | 2/3/4/6
| 2/3/4/6 | 2/3/4/6 |
晶向
|
| 100 | 100 | 100 |
| 载流子浓度 | /cm^3 | (0.4-2.5)x10^18 | (0.5-5)x10^19
|
|
| 电阻率 | ohm·cm |
|
| >10^7 |
电子迁移率
| cm^2/v·s | >1500 | >1000
| >4000
|
| 位错密度 | /cm^2
| <500 | <5000 | <500 |
| 厚度 | μm | (350-675)±25
| (350-675)±25 | (350-675)±25 |
双抛平整度
| μm | ≤5
| ≤5 | ≤5 |
| 单抛平整度 | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
翘曲度
| μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| 包装规格 |
| 单片或多片 | 单片或多片 | 单片或多片 |
锗单晶片是重要的半导体衬底材料，有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。主 要用于地面聚光光伏电站(CPV)、空间太阳能电池板以及超高亮度的 LED 衬底材料。
Ge单晶衬底规格参数：
| 单位 |
|
|
| 导电类型 |
| n型 | p型 |
晶向
|
| 100 | 100 |
| 载流子浓度 | /cm^3 | (0.4-2.5)x10^18 | (0.5-5)x10^19
|
| 掺杂 |
| Sb | Ga |
| 电阻率 | ohm·cm | 0.002-40
| 0.002-0.005 |
| 位错密度 | /cm^2
|
| 0 |
| 厚度 | μm | (1750-500)±25
| (350-675)±25 |
| 单抛平整度 | μm | ≤15 | ≤15 |
翘曲度
| μm | ≤25 | ≤25 |
| 包装规格 |
| 单片或多片 | 单片或多片 |
磷化铟(InP)作为优异的半导体材料，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度 大等优点。主要应用于通讯及微电子领域，包括光纤通讯、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星 通讯、卫星通讯微波领域，以及射频集成电路等。
InP单晶衬底规格参数：
| 单位 | 半绝缘规格 | 半导体规格
|
| 导电类型 |
|
| n型 | n型 | p型 |
| 生长方式 |
| VGF
|
| VGF |
|
| 掺杂 |
| Fe | Sn/S | 无 | Zn
|
| 尺寸 | Inch | 2/3/4
| 2/3/4 | 2/3/4 | 2/3/4 |
晶向
|
| 100 | 100 | 100 | 100 |
| 载流子浓度 | /cm^3 |
| (0.8-8)x10^18 | (0.5-5)x10^15 | (0.8-8)x10^18 |
| 电阻率 | ohm·cm | ≥0.5×10^7 |
|
|
|
电子迁移率
| cm^2/v·s | ≥1000 | 1000-2500
| 3000-5000
| 50-100 |
| 位错密度 | /cm^2
| <5000 | <5000 | <5000 | <500 |
| 厚度 | μm | (350-675)±25
| (350-675)±25 | (350-675)±25 | (350-675)±25 |
双抛平整度
| μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| 单抛平整度 | μm | ≤15 | ≤15 | ≤15 | ≤15 |
翘曲度
| μm | ≤15 | ≤15 | ≤15 | ≤15 |
| 包装规格 |
| 单片或多片 | 单片或多片 | 单片或多片 | 单片或多片 |
